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本產品專為減少半導體製造過程中產生的副產物（by-products）而設計 。其核心採用創新的平面加熱技術，利用碳奈米管（CNT）與石墨烯奈米片（GNP）構成的導電網路產生熱能 。透過僅 100μm的超薄奈米碳膜，能提供比傳統金屬絲加熱夾克更迅速、更精確的溫度控制，有效防止廢氣在法蘭（Flange）或彎管處凝結 。
高效能加熱機制：利用 CNT 作為橋樑連結 GNP 粒子，透過電子碰撞產生均勻的平面加熱效果 。
優異的控溫能力：具備低熱膨脹係數，升溫至 230°C 僅需不到 30 分鐘 。
耐用與穩定性：薄膜具備良好彈性，且在高功率供應下仍能保持穩定的物理特性 。
節能與設計優勢：相較於金屬蝕刻法，奈米碳膜在小型圖案設計與高壓環境下表現更佳，且功耗較低（80~100W） 。
寬廣的工作溫度：建議使用溫度可達 200°C，最高極限溫度可達 250°C。
半導體製程區域：FAB 與 Sub-FAB 端的 LP CVD 設備 。
管路系統：真空腔體至泵浦區段（Chamber to Pump）、排氣管線（Exhaust line） 。
洗滌設備：泵浦至 POU 洗滌塔（Scrubber）的進出口管線 。
粉末處理系統：粉末移動系統（PMS）後端及熱氮氣（HotN2）管路 。
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NW40
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