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本产品专为减少半导体制造过程中产生的副产物（by-products）而设计 。其核心采用创新的平面加热技术，利用碳奈米管（CNT）与石墨烯奈米片（GNP）构成的导电网路产生热能 。透过仅 100μm的超薄奈米碳膜，能提供比传统金属丝加热夹克更迅速、更精确的温度控制，有效防止废气在法兰（Flange）或弯管处凝结 。
高效能加热机制：利用 CNT 作为桥梁连结 GNP 粒子，透过电子碰撞产生均匀的平面加热效果 。
優異的控溫能力：具备低热膨胀系数，升温至 230°C 仅需不到 30 分钟 。
耐用与稳定性：薄膜具备良好弹性，且在高功率供应下仍能保持稳定的物理特性 。
节能与设计优势：相较于金属蚀刻法，奈米碳膜在小型图案设计与高压环境下表现更佳，且功耗较低（80~100W） 。
宽广的工作温度：建议使用温度可达 200°C，最高极限温度可达 250°C。
半导体制程区域：FAB 与 Sub-FAB 端的 LP CVD 设备 。
管路系统：真空腔体至泵浦区段（Chamber to Pump）、排气管线（Exhaust line） 。
洗涤设备：泵浦至 POU 洗涤塔（Scrubber）的进出口管线 。
粉末處理系統：粉末移動系統（PMS）後端及熱氮氣（HotN2）管路 。
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NW40
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